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　　電爐控制柜按熱量產(chǎn)生的方法不同，可分為間接加熱式和直接加熱式二大類。間接加熱式電阻爐，就是在爐子內(nèi)部有的電阻材料做的發(fā)熱元件。電流通過加熱元件時(shí)產(chǎn)生熱量，再通過熱的傳導(dǎo)、對流、輻射而使放置在爐中的爐料被加熱。直接加熱式電阻爐，電源直接接在所需加熱的材料上，使強(qiáng)大的電流直接流過所需加熱的材料而使材料自己發(fā)熱達(dá)到加熱效果。工業(yè)電阻爐，大部分是采用間接加熱式的，只有一部分因加熱工藝人的特殊需要而采用直接加熱式。使用可控硅電爐控制柜的廠家，應(yīng)該要注重對可控硅電爐控制柜和電爐做日常的維護(hù)保養(yǎng)，定期對熱處理控制系統(tǒng)進(jìn)行全面性的檢測，消除一些潛在隱患，降低設(shè)備的故障率，避免因電爐控制柜和電爐出現(xiàn)故障而造成不必要的損失。電爐控制柜可供一般工業(yè)用電阻爐指示、控制和記錄爐溫用，主回路采用接觸器作為開關(guān)元件，采用固態(tài)繼電器作為控制溫度的執(zhí)行元件。溫控表采用帶有PID電流調(diào)節(jié)的智能型儀表，記錄儀表采用中圓圖記錄儀，以提高記錄精度

 

　　若欲使可控硅控制柜觸發(fā)導(dǎo)通，除有足夠的觸發(fā)脈沖幅度和正確的極性以外，觸發(fā)電路和可控硅陰極之間必須有共同的參考點(diǎn)。有些電路從表面看，觸發(fā)脈沖被加到可控硅的觸發(fā)極G，但可控硅的陰極和觸發(fā)信號卻無共同參考點(diǎn)，觸發(fā)信號并未加到可控硅的G－K之間，可控硅不可能被觸發(fā)。

 

　　由于可控硅控制柜T1對控制電路是懸空的，555第3腳輸出脈沖根本不能形成觸發(fā)電流，可控硅控制柜不可能導(dǎo)通。再者，該電路雖采用隔離市電的低壓供電，但控制電路仍然通過G、T1極與市電相連，當(dāng)220V輸端B為火線時(shí)，井水和水塔供水將代有市電電壓，這是絕不允許的！

 

　　上述電路因設(shè)計(jì)考慮不周，出現(xiàn)了不該有的低級錯(cuò)誤。但類似水塔供水控制系統(tǒng)與市電不隔離的設(shè)計(jì)，卻常出現(xiàn)在電子書刊中。

 

　　觸發(fā)電路設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)牡诙€(gè)例子常見于電子制作稿中，圖中對電路進(jìn)行簡化。其實(shí)，無論控制系統(tǒng)完成何種控制，無論是單向還是雙向可控硅，觸發(fā)電路是不能正常工作的。

 

　　根據(jù)爐溫對給定溫度的偏差，自動(dòng)接通或斷開供給爐子的熱源能量，或連續(xù)改變熱源能量的大小，使?fàn)t溫穩(wěn)定有給定溫度范圍，以滿足熱處理工藝的需要。電爐控制柜常用調(diào)節(jié)規(guī)律有二位式、三位式、比例、比例積分和比例積分微分等幾種。電阻爐爐溫控制是這樣一個(gè)反饋調(diào)節(jié)過程，比較實(shí)際爐溫和需要爐溫得到偏差，通過對偏差的處理獲得控制信號，電爐控制柜去調(diào)節(jié)電阻爐的熱功率，從而實(shí)現(xiàn)對爐溫的控制。

 

　　1、按照偏差的比例、積分和微分產(chǎn)生控制作用（PID控制），是過程控制中應(yīng)用zui廣泛的一種控制形式。

 

　　2、二位式調(diào)節(jié)--它只有開、關(guān)兩種狀態(tài)，當(dāng)爐溫低于限給定值時(shí)執(zhí)行器全開；當(dāng)爐溫高于給定值時(shí)執(zhí)行器全閉。

 

　　3、三位式調(diào)節(jié)--它有上下限兩個(gè)給定值，當(dāng)爐溫低于下限給定值時(shí)接觸器全開；當(dāng)爐溫在上、下限給定值之間時(shí)執(zhí)行器部分開啟；當(dāng)爐溫超過上限給定值時(shí)執(zhí)行器全閉。如管狀加熱器為加熱元件時(shí)，可采用三位式調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)加熱與保溫功率的不同。